SSD Power Consumption 알아보기

SSD는 NAND Flash에 데이터를 저장하는 반도체 기반 저장장치이다. 하지만 SSD가 전력을 소비하는 이유는 NAND Flash에 데이터를 기록하기 위해서만은 아니다.

SSD 내부에는 Controller, NAND Flash, DRAM, PMIC 등 여러 부품이 있으며, 각 부품은 수행하는 작업에 따라 서로 다른 양의 전력을 사용한다. 따라서 SSD의 소비전력을 이해하려면 전압과 전류의 기본 관계뿐 아니라 SSD 내부에서 어떤 동작이 이루어지는지도 알아야 한다.

이번 글에서는 Power Consumption의 기본 개념을 살펴보고, SSD가 Idle, Read, Write 상태에서 서로 다른 전력을 소비하는 이유를 알아본다.

1. Power Consumption이란?

Power Consumption은 전자기기가 동작하면서 소비하는 전력을 의미한다.
전력(Power)은 단위 시간당 전달되거나 소비되는 에너지의 양이며, 직류 회로에서 전압과 전류의 곱으로 계산할 수 있다.
\[
P=VI
\qquad
\left[
\begin{array}{ll}
P &: \text{전력 (W)}\\[6pt]
V &: \text{전압 (V)}\\[6pt]
I &: \text{전류 (A)}
\end{array}
\right.
\]
전압은 전하를 이동시키는 전위차이고, 전류는 단위 시간에 이동하는 전하의 양을 의미한다. 따라서 동일한 전압이 공급되는 회로에서는 더 많은 전류가 흐를수록 소비전력이 증가한다.
예를 들어 어떤 SSD에 \(3.3\,\mathrm{V}\)의 전압이 공급되고, 전류가 \(0.6\,\mathrm{A}\) 흐른다고 가정해 보자.
\[
\begin{aligned}
P&=VI\\
&=3.3\,\mathrm{V}\times0.6\,\mathrm{A}\\
&=1.98\,\mathrm{W}
\end{aligned}
\]
이 경우 SSD의 소비전력은 \(1.98\,\mathrm{W}\)이다.
이는 계산을 위한 가정값이며, 실제 SSD의 측정 결과는 아니다.

1.1 소비전력과 소비 에너지의 차이

여기서 전력과 에너지는 구분해야 한다.

• Power: 특정 순간에 얼마나 많은 전력을 소비하는지를 나타낸다.
• Energy: 일정 시간 동안 실제로 소비한 에너지의 양을 나타낸다.

전력이 일정하게 유지된다면 소비 에너지는 다음과 같이 계산할 수 있다.
\[
E=Pt
\qquad
\left[
\begin{array}{ll}
E &: \text{에너지 (J)}\\[6pt]
P &: \text{전력 (W)}\\[6pt]
t &: \text{시간 (s)}
\end{array}
\right.
\]
앞선 예시에서 SSD가 \(1.98\,\mathrm{W}\)를 \(10\,\mathrm{s}\) 동안 소비했다면,
\[
\begin{aligned}
E&=1.98\,\mathrm{W}\times10\,\mathrm{s}\\
&=19.8\,\mathrm{J}
\end{aligned}
\]

따라서 소비 에너지는 \(19.8\mathrm{J}\)이다.

이는 SSD의 효율을 평가할 때 중요한 차이이다. 어떤 SSD가 순간적으로 더 많은 전력을 소비하더라도 작업을 빠르게 완료하면, 전체 작업에 사용한 에너지는 오히려 적을 수 있기 때문이다.

2. SSD에서는 어디에서 전력을 소비할까?

SSD는 하나의 반도체가 아니라 여러 부품이 결합된 시스템이다. 대표적으로 다음과 같은 구성요소에서 전력이 소비된다.

• SSD Controller: Host 명령 처리, 주소 변환, ECC 연산, NAND 제어
• NAND Flash: 데이터 Read, Program, Erase
• DRAM: 주소 매핑 정보 및 임시 데이터 저장
• PMIC: 각 부품에 필요한 전압을 생성하고 공급
• Host/NAND Interface: PCIe 및 NAND 인터페이스를 통한 신호와 데이터 전송

[그림 4] Enterprise SSD 내부의 Controller, NAND Flash, DRAM Cache, 전원 관리 부품 등의 배치를 보여준다. (https://www.qorvo.com/design-hub/technical-articles/exploring-qorvos-power-loss-protection-and-power-management-one-chip-solution-for-ssds)

SSD 외부에서 공급된 전력은 전원 회로를 통해 각 부품으로 전달된다. 이 과정에서 PMIC는 필요한 전압을 생성하며, 전압을 변환하는 과정에서도 일부 전력 손실이 발생한다.

따라서 SSD 전체 소비전력은 NAND Flash의 소비전력만으로 결정되지 않는다. Controller가 처리하는 명령의 양, DRAM의 동작, 인터페이스의 데이터 전송량, 전원 변환 과정의 손실까지 고려해야 한다.

3. SSD의 동작 상태에 따른 소비전력

SSD의 소비전력은 Workload, 저장장치에 주어지는 작업의 종류와 양에 따라 달라진다. SSD가 데이터를 읽는지, 기록하는지, 또는 명령을 기다리고 있는지에 따라 활성화되는 회로와 동작 시간이 달라진다. SSD의 소비전력은 현재 수행하는 작업뿐 아니라, SSD가 어떤 전력 관리 상태(Power State)로 동작하는지에 따라서도 달라진다.

3.1 Idle

Idle은 SSD에 처리할 Host I/O 명령이 없거나 거의 없는 상태를 의미한다. 이때 NAND Flash에서 활발한 데이터 전송이 이루어지지 않으므로, SSD는 불필요한 회로의 동작을 줄여 전력 소모를 낮출 수 있다.

하지만 Idle이라고 해서 전류가 전혀 흐르지 않는 것은 아니다. SSD는 명령을 수신하기 위한 기능을 유지해야 하며, Controller와 일부 회로에도 전력이 필요하기 때문이다. 또한 SSD는 Host의 명령이 없는 동안 Garbage Collection과 같은 내부 유지관리 작업을 수행할 수도 있다.

따라서 Idle은 무조건 가장 낮은 소비전력이 유지되는 상태를 뜻하지 않는다.

Power State

Power State는 NVMe SSD가 소비전력과 성능을 관리하기 위해 정의한 전력 동작 상태이다. NVMe에서는 여러 Power State를 지원할 수 있으며, 각 상태에 따라 최대 소비전력, I/O 명령 처리 가능 여부, 상태 전환에 필요한 시간 등이 달라진다.

Power State는 크게 두 가지로 구분된다.

• Operational State: SSD가 Read, Write 등의 I/O 명령을 처리할 수 있는 상태이다. 여러 Operational State를 지원하는 경우 성능과 소비전력 수준이 서로 다를 수 있다.
• Non-Operational State: 소비전력을 줄이기 위해 일반적인 I/O 명령을 처리하지 않는 상태이다. 새로운 I/O 명령을 처리하려면 Operational State로 복귀해야 한다.

예를 들어 SSD가 Idle 상태를 일정 시간 유지하면 절전을 위해 Non-Operational State로 전환할 수 있다. 이후 Host가 새로운 I/O 명령을 전달하면 Operational State로 복귀하여 작업을 처리한다.

다만 전력 소모가 적은 상태일수록 복귀에 더 긴 시간이 필요할 수 있다. 따라서 SSD의 전력 관리에서는 소비전력을 줄이는 것과 명령에 빠르게 응답하는 것 사이의 Trade-off를 고려해야 한다.

3.2 Read

Read는 Host가 SSD에 저장된 데이터를 요청하는 동작이다. Host가 Read Command를 전달하면 SSD Controller는 논리 주소를 NAND의 물리 주소로 변환하고, 해당 위치의 데이터를 읽어 Host에 전달한다.

일반적인 NAND 기반 Read 과정은 다음과 같다.

1. Host가 Read Command를 전달한다.
2. Controller가 NAND의 데이터 위치를 확인한다.
3. NAND에서 Cell의 상태를 판독한다.
4. 필요한 오류 정정 처리를 수행한다.
5. 데이터를 Host로 전송한다.

이 과정에서 Controller, NAND의 판독 회로, 데이터 인터페이스 등이 활성화된다.

NAND Flash의 Read에서는 Cell에 저장된 전하 상태에 대응하는 문턱전압을 판별한다. 따라서 데이터를 저장하기 위해 Cell의 전하 상태를 변경하는 Program이나 Erase와는 동작 원리가 다르다.

다만 Read의 소비전력은 일정하지 않다. 동시에 많은 Read Command가 처리되면 여러 NAND Die와 Channel이 활성화될 수 있으며, 데이터 전송 및 오류 정정 처리에 필요한 전력도 증가할 수 있다.

3.3 Write

Write는 Host가 SSD에 새로운 데이터를 저장하도록 요청하는 동작이다. Read와 달리 Write는 데이터를 전달하는 것뿐 아니라, 이를 NAND Flash에 저장하기 위한 처리가 필요하다.

일반적인 Write 과정은 다음과 같다.

1. Host가 Write Command와 데이터를 전달한다.
2. Controller가 데이터를 수신하고 저장 위치를 결정한다.
3. 필요에 따라 데이터를 Buffer에 임시 저장한다.
4. NAND Flash에서 Program을 수행한다.
5. Controller가 주소 매핑 정보를 갱신한다.

여기서 주의할 점은 Host의 Write와 NAND의 Program이 완전히 같은 의미는 아니라는 것이다. Write는 SSD에 전달되는 명령이고, Program은 NAND Cell의 저장 상태를 변경하는 내부 동작이다. SSD의 Buffer나 Cache 구조에 따라 Host의 Write Command가 완료되는 시점과 NAND Program이 실제로 수행되는 시점이 다를 수도 있다.

또한 NAND Program에는 Cell의 저장 상태를 변경하기 위한 전압 생성과 제어 과정이 필요하다. 따라서 Write 중심의 작업은 Read 중심의 작업과 다른 전력 소모 특성을 보인다.

일반적으로 Write에는 추가적인 내부 처리가 필요하지만, 모든 SSD에서 Write의 순간 소비전력이 Read보다 높다고 단정할 수는 없다. 두 동작의 전력은 제품 구조와 Workload에 따라 달라지기 때문이다.

4. NAND Flash의 Program과 Erase

앞서 살펴본 Read와 Write는 SSD 전체의 작업을 설명하는 개념이다. 반면 Program과 Erase는 NAND Flash 내부에서 데이터를 기록하거나 삭제 가능한 상태로 만드는 동작이다.

4.1 Program

Program은 NAND Cell의 전하 저장 상태를 변경하여 데이터를 기록하는 동작이다.

NAND Flash는 Floating Gate 또는 Charge Trap 구조를 사용하며, Program 과정에서 전자를 저장층으로 이동시키는 등의 방법으로 Cell의 문턱전압을 변화시킨다. 이를 위해 일반적인 Read보다 높은 내부 구동 전압이 사용될 수 있다.

또한 NAND는 목표한 문턱전압 상태를 정확하게 형성하기 위해 Program Pulse와 Verify를 반복하는 방식을 사용한다. 대표적으로 ISPP(Incremental Step Pulse Programming)가 있다. 이러한 과정에서는 전압을 생성하는 회로, Word Line 구동 회로, Page Buffer 등의 동작에 전력이 사용된다.

따라서 Program의 소비전력은 단순한 데이터 전송만으로 설명할 수 없으며, Cell에 데이터를 기록하는 과정에서 발생하는 전력까지 고려해야 한다.

4.2 Erase

Erase는 NAND Cell의 저장 상태를 초기화하여 다시 Program할 수 있도록 만드는 동작이다.

NAND Flash는 일반적으로 Page 단위로 데이터를 읽고 기록하지만, Erase는 Block 단위로 수행한다. 따라서 Block 내부의 일부 Page만 필요 없어진 경우에도 해당 Page만 선택적으로 Erase할 수는 없다.

Erase 과정에서는 높은 전압을 이용해 Cell의 저장 전하 상태를 초기화한다. 또한 Erase가 제대로 이루어졌는지 확인하는 Verify 과정이 수행될 수 있다. 이처럼 Erase는 여러 Cell을 한꺼번에 초기화하므로, 다른 NAND 동작과 구별되는 전력 및 동작 시간 특성을 가진다. 다만 높은 전압을 사용한다는 사실만으로 Erase의 순간 소비전력이 항상 가장 크다고 판단해서는 안 된다. 소비전력은 전압과 함께 전류에 의해 결정되며, 총 에너지는 동작 시간에도 영향을 받는다.

4.3 Read, Program, Erase 비교

구분	Read	Program	Erase
주요 목적	저장된 데이터 판독	데이터 기록	저장 상태 초기화
기본 동작 단위	Page	Page	Block
Cell 상태 변경	일반적으로 없음	있음	있음
주요 전력 사용 요인	판독 회로 및 데이터 전송	내부 고전압 생성 및 기록·검증	내부 고전압 생성 및 소거·검증

여기서 Page와 Block은 일반적인 NAND Flash의 기본 동작 단위를 의미한다. 실제 NAND 제품은 Multi-plane 동작이나 다양한 Cache Operation 등을 지원할 수 있다.

5. Garbage Collection이 소비전력에 미치는 영향

SSD에서는 Host가 요청한 데이터 기록 외에도 NAND Flash의 저장 공간을 관리하는 작업이 수행된다. 대표적인 작업이 Garbage Collection(GC)이다.

5.1 Garbage Collection이란?

NAND Flash는 기존 데이터가 저장된 Page를 자유롭게 덮어쓸 수 없다. 따라서 SSD는 데이터가 수정되면 일반적으로 새로운 위치에 데이터를 기록하고, 기존 Page를 Invalid 상태로 처리한다. 이러한 동작이 반복되면 하나의 Block 안에 Valid Page와 Invalid Page가 섞이게 된다.

Garbage Collection은 이러한 Block에서 유효한 데이터를 다른 위치로 이동시키고, 기존 Block을 Erase하여 새로운 데이터를 기록할 수 있는 공간을 확보하는 작업이다.

[그림 4] Valid Page를 다른 Block으로 이동하고 기존 Block을 Erase하는 과정과 추가 NAND Write가 발생하는 원리를 나타낸다. (https://www.atpinc.com/blog/over-provisioning-ssd-benefits-endurance-and-performance)

5.2 Garbage Collection은 왜 추가 전력을 소비할까?

Garbage Collection에서는 Host가 새로운 데이터를 요청하지 않았더라도 NAND 내부에서 Read, Program, Erase가 발생할 수 있다. 대표적인 과정은 다음과 같다.

1. 기존 Block에서 Valid Page를 읽는다.
2. Valid Page를 다른 Block에 기록한다.
3. 기존 Block을 Erase한다.
4. 확보한 Block을 새로운 데이터 저장에 사용한다.

따라서 Garbage Collection이 실행되면 NAND의 동작량이 증가하고, 그만큼 추가적인 전력과 에너지가 소모될 수 있다.

특히 유효한 데이터가 많이 남아 있는 Block을 정리하려면 더 많은 데이터 이동이 필요하므로, Garbage Collection의 비용도 커질 수 있다.

5.3 Write Amplification

Garbage Collection과 관련하여 알아둘 개념이 Write Amplification이다.

Write Amplification은 Host가 요청한 데이터 기록량보다 NAND Flash에 실제 기록되는 데이터의 양이 많아지는 현상을 말한다. 이를 수치로 나타낸 것이 Write Amplification Factor(WAF)이다.

\[
WAF=\frac{D_{\mathrm{NAND}}}{D_{\mathrm{Host}}}
\]
\[
\left[
\begin{array}{ll}
D_{\mathrm{NAND}} &: \text{NAND에 실제 기록된 데이터 양}\\[6pt]
D_{\mathrm{Host}} &: \text{Host가 요청한 데이터 기록량}
\end{array}
\right.
\]
예를 들어 Host가 \(1\,\mathrm{GB}\)의 데이터를 기록했지만 Garbage Collection 등의 작업으로 NAND에 총 \(1.4\,\mathrm{GB}\)가 기록되었다고 가정해 보자.
\[
\begin{aligned}
D_{\mathrm{NAND}}&=1+0.4=1.4\,\mathrm{GB}\\
WAF&=\frac{1.4\,\mathrm{GB}}{1\,\mathrm{GB}}\\
&=1.4
\end{aligned}
\]

이 경우 WAF는 \(1.4\)이다. 위 수치는 원리를 설명하기 위한 가정값이며, 특정 SSD의 측정 결과는 아니다.

WAF가 증가하면 동일한 양의 Host 데이터를 처리하기 위해 더 많은 NAND Program이 필요해질 수 있다. 따라서 NAND의 총 동작 에너지와 마모에도 영향을 줄 수 있다.

하지만 WAF만으로 SSD의 소비전력이 결정되는 것은 아니다. Garbage Collection의 수행 시점, 데이터 이동 방법, 병렬 동작 수준 등도 함께 영향을 미친다.

6. SSD의 소비전력을 결정하는 다른 요인

앞서 SSD는 Idle, Read, Write 등의 동작에 따라 서로 다른 전력을 소비한다는 사실을 알아보았다. 그러나 같은 Read 또는 Write를 수행하더라도 SSD의 소비전력이 항상 일정한 것은 아니다. 작업량과 내부 회로의 동작 수준, 전력 변환 효율 등의 요인도 영향을 미치기 때문이다.

6.1 Workload와 소비전력

Workload는 SSD에 주어지는 작업의 종류와 양을 의미한다. 같은 Read 또는 Write라도 Workload에 따라 처리해야 하는 데이터 양과 동시에 수행하는 작업의 수가 달라진다. 예를 들어 소량의 데이터를 읽을 때는 일부 NAND Die만 활성화될 수 있다. 반면 여러 Read Command를 동시에 처리하는 경우에는 다수의 NAND Die와 Channel이 병렬로 동작할 수 있다.

이처럼 병렬 처리는 데이터 처리 성능을 높일 수 있지만, 동시에 활성화되는 회로가 증가하면 순간 소비전력도 높아질 수 있다. 이러한 차이에 영향을 주는 대표적인 Workload 조건은 다음과 같다.

• I/O Size: 한 번의 명령으로 읽거나 기록하는 데이터의 양
• Queue Depth: 동시에 대기하거나 처리되는 I/O 명령의 수
• Sequential / Random: 데이터에 연속적으로 접근하는지, 불규칙한 주소에 접근하는지

따라서 SSD의 소비전력을 비교할 때는 Read와 Write의 구분뿐 아니라, 얼마나 많은 데이터를 어떤 방식으로 처리하는지도 함께 고려해야 한다.

6.2 PMIC와 전력 변환 효율

SSD 외부에서 공급되는 전압이 모든 내부 부품에 그대로 전달되는 것은 아니다. 일부 SSD는 PMIC 또는 DC-DC Converter를 이용해 각 부품에 필요한 전압을 생성한다. 하지만 전압을 변환하는 과정에서는 전력 손실이 발생하므로 입력 전력과 출력 전력이 같지 않다. 전력 변환 효율은 다음과 같이 나타낼 수 있다.

\[
\eta=\frac{P_{\mathrm{out}}}{P_{\mathrm{in}}}
\qquad
\left[
\begin{array}{ll}
\eta &: \text{변환 효율}\\[6pt]
P_{\mathrm{out}} &: \text{출력전력}\\[6pt]
P_{\mathrm{in}} &: \text{입력전력}
\end{array}
\right.
\]
예를 들어 어떤 전압 변환 회로가 \(3\,\mathrm{W}\)를 출력하고 효율이 \(90\%\)라고 가정하자.
\[
\begin{aligned}
P_{\mathrm{in}}&=\frac{P_{\mathrm{out}}}{\eta}\\
&=\frac{3\,\mathrm{W}}{0.9}\\
&\approx3.33\,\mathrm{W}
\end{aligned}
\]
따라서 입력전력은 약 \(3.33\,\mathrm{W}\)이며, 변환 과정에서 발생하는 손실은 다음과 같다.
\[
P_{\mathrm{loss}}=3.33-3.00
=0.33\,\mathrm{W}
\]

[그림 4] 출력 전류와 입력 전압에 따라 DC-DC Converter의 변환 효율이 달라지는 특성을 나타낸다. (Texas Instruments, TPS6213x Datasheet, Figure 9-8, p.19.)

위 그래프는 TI의 TPS62130 계열 DC-DC Converter에서 출력 전류에 따른 전력 변환 효율을 나타낸 것이다. 출력 전압은 \(3.3\,\mathrm{V}\)로 일정하며, 입력 전압과 출력 전류에 따라 효율이 어떻게 달라지는지 확인할 수 있다.
그래프에서 출력 전류가 매우 작은 구간에서는 변환 효율이 낮게 나타난다. 이는 부하에 전달하는 전력이 작더라도 DC-DC Converter의 제어 회로 등을 유지하는 데 일정한 전력이 필요하기 때문이다.
이후 출력 전류가 증가하면 부하에 전달되는 전력이 커지면서 상대적인 손실 비율이 감소하여 효율이 높아진다. 그러나 전류가 지나치게 커지면 회로 내부의 저항에 의한 전력 손실 등이 증가하여 효율이 다시 낮아질 수 있다.
또한 동일한 출력 전류에서도 입력 전압에 따라 효율이 달라진다. 해당 그래프에서는 전반적으로 입력 전압이 \(5\,\mathrm{V}\)일 때 \(12\,\mathrm{V}\) 또는 \(17\,\mathrm{V}\)보다 높은 효율을 보인다.
따라서 DC-DC Converter의 전력 변환 효율은 항상 일정한 것이 아니라, 입력 전압과 부하 조건에 따라 달라진다. 다만 이 그래프는 특정 DC-DC Converter의 특성이므로 모든 전원 회로나 SSD에 동일하게 적용되는 것은 아니다.

6.3 성능과 전력 효율

SSD가 더 빠르게 동작하면 일반적으로 많은 회로가 활성화되어 순간 소비전력이 증가할 수 있다. 그러나 소비전력이 높다는 이유만으로 전력 효율이 나쁘다고 판단할 수는 없다. 예를 들어 SSD가 동일한 양의 데이터를 짧은 시간에 처리한다면, 더 높은 전력을 사용하더라도 작업 전체의 소비 에너지는 적을 수 있다.

따라서 SSD를 평가할 때에는 소비전력뿐 아니라 전력당 처리 성능도 함께 고려할 필요가 있다. 대표적으로 다음과 같은 지표를 사용할 수 있다.

• Throughput per Watt: 전력당 데이터 전송량
• IOPS per Watt: 전력당 초당 I/O 처리 횟수
• Energy per I/O: 하나의 I/O를 처리하는 데 소비한 에너지

이러한 지표를 활용하면 서로 다른 SSD가 동일한 작업을 얼마나 효율적으로 처리하는지 비교할 수 있다.

7. 정리

SSD는 작업 상태에 따라 서로 다른 전력을 소비하며, 이는 각 동작에서 활성화되는 회로와 수행해야 하는 내부 작업이 다르기 때문이다.

동작	주요 전력 소모 요인
Idle	Controller 대기 기능, 절전 상태 유지, 일부 내부 유지관리
Read	NAND 판독, ECC 처리, 데이터 전송
Write	Host 데이터 수신, Buffer 및 Controller 처리, NAND 기록
Program	Cell 저장 상태 변경, 내부 전압 생성, Verify
Erase	Block 저장 상태 초기화, 내부 전압 생성, Verify
Garbage Collection	Valid Page 이동, Program 및 Block Erase

이때 Read와 Write는 SSD 전체의 Host 명령이고, Program과 Erase는 NAND 내부 동작이며, Garbage Collection은 저장 공간 관리를 위해 여러 내부 동작을 조합하는 작업이라는 점을 구분해야 한다. 또한 SSD의 소비전력은 각 동작 자체뿐 아니라 Workload, 병렬 처리 수준, 전원 변환 효율, Power State 등에 의해 달라진다.

결국 SSD의 Power Consumption을 이해하려면 단순히 전압과 전류를 곱하는 것을 넘어, 어떤 부품이 얼마나 오랫동안 활성화되는지를 함께 살펴보아야 한다.

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참고자료

Samsung Electronics, Samsung SSD White Paper https://download.semiconductor.samsung.com/resources/white-paper/Samsung_SSD_White_Paper.pdf

ATP Electronics, How Over-Provisioning Enhances the Endurance and Performance of NAND-Based ATP SSDs https://www.atpinc.com/blog/over-provisioning-ssd-benefits-endurance-and-performance

NVM Express, NVMe Base Specification https://nvmexpress.org/specification/nvm-express-base-specification/  

Qorvo, Exploring Qorvo's Power Loss Protection and Power Management One-Chip Solution for SSDs https://www.qorvo.com/design-hub/technical-articles/exploring-qorvos-power-loss-protection-and-power-management-one-chip-solution-for-ssds

Texas Instruments, TPS6213x Datasheet, Rev. F https://www.ti.com/lit/gpn/TPS62130

NVM Express - Technology Power Features https://nvmexpress.org/resource/technology-power-features