이번 글에서는 DRAM read operation 에 대해서 간략히 알아본다. 여기서 \(V_{DD}\)는 전원 전압입니다. Read Process StepPrechargebit line과 complementary bit line을 각각 \(V_{DD}/2\) 로 precharge 한다.더보기왜 \(V_{DD}/2\)로 precharge할까? 만약 bitline을 \(V_P\)라는 임의의 값으로 precharge한다고 해 보자. Cell에는 \(V_{DD}\), 0 두 가지 상태가 있으므로 Cell과 bitline이 연결되면 bitline 전압은 \(V_P\)에서 움직인다. \[ \Delta V_1 = \frac{C_{cell}}{C_{BL}+C_{cell}} (V_{DD}-V_P) \tag{1} \] ..
DRAM의 기본 구조 : 1 Transistor, 1 CapacitorCapacitor에 전하가 charging 되어있느냐 유무를 통해 0과 1을 표현한다.Transistor(MOSFET)은 switch처럼 동작한다. 전압을 인가하여 open/close상태로 만들 수 있다. Word line은 transistor gate에 연결되어 한 row에 있는 모든 cell의 transistor를 켜거나 끌 수 있다. Bit line 은 transistor의 한 쪽에 연결된 라인으로 cell에 데이터 값을 전달한다. Sense Amplifier(BLSA)는 bit line의 미세한 전압 변화를 감지하고 이를 증폭시켜 read operation 때 0과 1을 명확히 읽을 수 있도록 한다. 또한 읽기 과정에서 증폭된..
HBM은 High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리의 줄임말이다. 왜 중요한가?AI 연산에서 GPU/가속기가 매우 많은 데이터를 빠르게 전달받아야 하고 이로 인해 더욱 고성능의 연산능력과 속도에 대한 수요가 증가했다. 따라서 이러한 요구에 대응하기 위해 고안된 메모리 기술이 HBM이다. 기존 메모리와의 차이점은? 기존의 DDR 메모리는 메모리와 프로세서가 비교적 좁은 버스를 통해 연결되었다. 하지만 HBM은 DRAM die를 수직으로 쌓고 그것들을 수천 개의 through-silicon vias(TSVs) 으로 연결하여 ultra-wide bus를 제공한다. 출처https://semiconductor.samsung.com/kr/dram/hbm/https://intuitionlabs.ai..
전체 과정Wafer manufacturing - Oxidation - Photolithography - Etching - Deposition & Ion implantation - Metal wiring - Electrical Die Sorting - Packaging 세부 과정Wafer manufacturing모래에서 뽑아낸 주재료인 실리콘을 녹여 결정화하면 긴 원통형태의 Ingot이 생성된다. Ingot을 얇게 썰어내면 Wafer가 만들어진다. 이 Wafer의 표면을 닦아내 defect를 없앤다. Wafer의 표면이 넓어질수록 생산되는 chip이 많아지기 때문에 Wafer의 단면적 크기는 증가하는 추세이다. Oxidation 실리콘 표면에 SiO₂ 산화막을 형성하는 과정이다. oxidation p..