Power MOSFET

1. Power MOSFET이란?MOSFET의 한 종류높은 전압과 전류를 다루기 위해 설계전력 변환, 모터 구동, 전원 공급 장치 등에 사용2. 일반 MOSFET과 무엇이 다른가?일반적인 IC 내부의 MOSFET은 Source와 Drain이 반도체 표면에 위치하고, 전류 경로 역시 주로 표면과 평행한 방향으로 형성되는 Lateral 구조를 사용한다.반면 대전류와 고전압을 다루는 Power MOSFET에서는 Source와 Gate를 칩의 윗면에, Drain을 칩의 뒷면에 배치하여 전류가 칩의 깊이 방향으로 흐르는 Vertical 구조가 널리 사용된다. Vertical Power MOSFET의 Gate 구조는 크게 Planar Gate와 Trench Gate 등으로 나눌 수 있다.3. Power MOSFET..

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• · 2026. 9. 7.

DRAM과 SRAM의 차이

DRAM과 SRAM 은 모두 데이터를 저장하기 위한 휘발성 메모리(Volatile Memory)이다. 즉, 전원이 차단되면 저장된 데이터가 사라진다.하지만 DRAM과 SRAM은 데이터를 저장하는 회로의 구조가 다르며, 이 차이로 인해 속도, 집적도, 가격 및 사용 목적이 달라진다.◎ SRAM과 DRAM이란?DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 Capacitor에 저장된 전하를 이용하여 데이터를 저장하는 메모리이다. 구조가 단순하여 높은 집적도를 구현할 수 있지만 Capacitor의 전하가 시간이 지나면서 누설되기 때문에 주기적인 Refresh가 필요하다. 반면 SRAM(Static Random Access Memory)은 별도의 Refresh 동작 없이 전원이 공급되는 동안 데..

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• · 2026. 9. 6.

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 알아보기

더보기“MOSFET은 Gate에 인가되는 전압으로 Source와 Drain 사이의 전류를 제어하는 반도체 소자이다. 디지털 회로에서는 주로 스위치처럼 사용된다.MOSFET 구조MOSFET의 Gate 부분에는 기본적으로 metal(conductor)–oxide–semiconductor 구조가 형성되어 있으며, 이 MOS 구조에서 이름이 유래했다. Metal은 금속, Oxide는 부도체, Semiconductor는 반도체 특성을 가지고 있다. NMOS와 PMOS는 body의 도핑 타입이 아니라, Source와 Drain 사이에 형성되는 채널의 타입에 따라 구분한다. 일반적인 NMOS는 p-type body에 n-type Source와 Drain을 가지고 있으며, Gate에 양의 전압을 인가하면 body 표면..

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• · 2026. 9. 6.

SRAM의 기본 구조

SRAM이란?SRAM은 RAM(Random Access Memory)의 한 종류이다. 두 개의 cross-coupled inverter가 latch를 형성하여 데이터를 저장한다. SRAM 또한 volatile 특성을 가지고 있으므로 전원이 끊기면 저장된 데이터가 사라진다.SRAM의 구조일반적으로 SRAM cell은 6개의 MOSFET으로 구성된다. M1~M4는 두 개의 cross-coupled inverter를 구성하여 데이터를 저장하는 latch를 만들고, M5와 M6은 word line의 제어에 따라 cell의 storage node와 bitline을 연결하거나 차단하는 access transistor이다. 출처https://en.wikipedia.org/wiki/Static_random-acces..

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• · 2026. 9. 6.

Sense Amplifier는 왜 두 개의 bitline을 사용할까?

Sense Amplifier란?Sense amplifier란 DRAM에서 bit line의 미세한 전압 차이를 감지하고 확정적인 전압으로 증폭시켜주는 장치입니다.그림에서와 같이 cell에 연결된 BL과, 이를 비교하기 위한 complementary bit line(BL/)이 Sense Amplifier에 연결되어 있는 구조입니다. Cell capacitor와 bit line capacitance 사이에서 전하가 재분배되면서, BL의 전압이 \(V_{DD}/2\)에서 아주 조금 변하게 됩니다. 그렇다면 BL/의 역할은 뭘까요?읽으려면 비교대상이 필요하다read cycle 시작 시 bit line에는 \(V_{DD}/2\)의 전압이 걸려 있습니다. 여기에 capacitor의 전압을 나눠 가진다고 하더라도, ..

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• · 2026. 9. 5.

DRAM read operation

이번 글에서는 DRAM read operation 에 대해서 간략히 알아본다. 여기서 \(V_{DD}\)는 전원 전압입니다. Read Process StepPrechargebit line과 complementary bit line을 각각 \(V_{DD}/2\) 로 precharge 한다.▼ \(V_{DD}/2\)로 precharge 하는 이유더보기만약 bitline을 \(V_P\)라는 임의의 값으로 precharge한다고 해 보자. Cell에는 \(V_{DD}\), 0 두 가지 상태가 있으므로 Cell과 bitline이 연결되면 bitline 전압은 \(V_P\)에서 움직인다. \[ \Delta V_1 = \frac{C_{cell}}{C_{BL}+C_{cell}} (V_{DD}-V_P) \tag{1} \..

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• · 2026. 9. 4.