전자회로를 보면 거의 빠지지 않고 등장하는 소자가 Resistor, 즉 저항이다.저항은 단순히 전류를 방해하는 부품처럼 보이지만 실제 회로에서는 전류 제한, 전압 분배, Logic Level 설정, Signal Termination 등 다양한 목적으로 사용된다. 특히 디지털 회로나 고속 인터페이스를 공부하다 보면 Pull-up Resistor, Pull-down Resistor, Termination Resistor와 같은 표현이 반복해서 등장한다.이번 글에서는 Resistor의 가장 기본적인 원리부터 이러한 활용 방법까지 살펴본다.1. Resistor와 ResistanceResistor와 Resistance는 비슷하게 보이지만 의미가 다르다.Resistor는 실제 회로에 사용하는 부품을 의미하고, Re..
1. DRAM I/O란?앞서 DRAM의 Cell 구조를 공부하면서 Cell, Bit Line, Sense Amplifier의 관계를 살펴보았다. Cell에 저장된 전하는 Bit Line을 통해 Sense Amplifier에서 감지된다. 하지만 이때 사용하는 Bit Line과, SSD Board에서 DRAM과 Controller를 연결하는 Data Bus는 서로 다른 개념이다.Bit Line은 DRAM Chip 내부에서 Cell의 상태를 읽고 쓰기 위한 내부 배선이다. 반면 DRAM I/O는 DRAM Package와 Memory Controller 사이에서 명령, 주소, 데이터를 주고받기 위한 외부 Interface이다.전체적인 데이터 경로를 단순화하면 다음과 같다.\[ \begin{gathered} \t..
NAND Cell은 전하를 저장하고, 저장된 전하에 따라 문턱전압이 달라지며, 이를 이용하여 데이터를 구분한다. 하지만 SSD가 실제로 동작하려면 Cell에 데이터를 저장하는 것만으로는 충분하지 않다. SSD Controller가 NAND Flash에 데이터를 저장하거나 읽기 위해서는 NAND Package와 실제로 데이터를 주고받아야 한다.즉 지금까지의 질문이 'NAND Cell은 데이터를 어떻게 저장하는가?'였다면, NAND I/O에서는 'SSD Controller와 NAND Package는 데이터를 어떻게 주고받는가?'를 살펴보게 된다.NAND I/O는 NAND Flash 내부의 저장 원리보다 한 단계 바깥에 있는 개념이다. SSD Controller가 NAND에 명령을 전달하고, 주소를 지정하고,..
1. NVMe란 무엇인가?NVMe는 Non-Volatile Memory Express의 약자로, SSD와 같은 고속 저장장치를 효율적으로 사용하기 위해 만들어진 저장장치 인터페이스 규격이다.NVMe는 Host Software와 SSD 사이에서어떤 Command를 전달할 것인지Command를 어디에 저장할 것인지실제 데이터가 있는 위치를 어떻게 알려줄 것인지작업 완료 결과를 어떻게 전달할 것인지등을 정의한다.NVMe가 등장한 이유과거 저장장치 시장에서는 HDD가 주로 사용되었다. HDD는 회전하는 Platter 위에서 Head를 움직여 데이터를 읽고 쓰기 때문에 물리적인 동작 시간이 필요하다. 따라서 저장장치 자체의 응답 속도가 비교적 느렸다.이러한 환경에서 널리 사용된 것이 SATA Interface와 ..
SSD는 NAND Flash에 데이터를 저장하지만, SSD만으로는 CPU나 시스템 메모리와 데이터를 주고받을 수 없다. 따라서 Host와 SSD Controller 사이에서 데이터를 전달하기 위한 연결 방식이 필요하다.NVMe SSD에서 이러한 연결에 주로 사용되는 인터페이스가 PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)이다.PCIe를 처음 접하면 Gen4, x4, 16 GT/s와 같은 숫자가 먼저 보이지만, 이러한 숫자를 이해하려면 먼저 PCIe가 장치를 어떻게 연결하고 데이터를 어떤 단위로 전송하는지 이해해야 한다.이 글에서는 PCIe의 기본 구조부터 Lane, 세대별 전송 속도, Signal Integrity까지 순서대로 살펴본다.1. PCIe란 무엇인가?P..
1. HBM의 기본 구조HBM(High Bandwidth Memory)은 넓은 I/O Interface를 사용하여 높은 메모리 대역폭을 제공하는 DRAM이다. GPU와 같은 고성능 프로세서의 연산 성능이 증가하면서 발생하는 Memory Bandwidth Bottleneck을 줄이기 위해 개발되었으며, 최근에는 대규모 데이터를 처리하는 AI Accelerator에서 중요성이 더욱 커지고 있다.HBM은 여러 개의 DRAM Die를 수직으로 적층한 구조를 가지며, 각 Die는 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극)를 통해 서로 연결된다. 2. Core Die란?HBM에는 여러 개의 DRAM Die가 수직으로 적층되어 있으며, 이때 실제 데이터를 저장하는 각각의 DRAM Die를 Cor..